LPCVD改造翻新是根據(jù)客戶(hù)的要求及現(xiàn)有機(jī)臺(tái)的狀況給出最優(yōu)的解決方案，可實(shí)現(xiàn)常壓擴(kuò)散爐改為L(zhǎng)PCVD，也可實(shí)現(xiàn)LPCVD中不同工藝的更換。

LPCVD技術(shù)指標(biāo)
1.1工作溫度：300～900℃
1.2適用硅片尺寸：4～6英寸
1.3裝片數(shù)量：正片100～150片/管
1.4恒溫區(qū)長(zhǎng)度：1000mm

1.5恒溫區(qū)穩(wěn)定性：≤±0.5℃
1.6極限真空度：6mTorr
1.7淀積膜均勻性：片內(nèi)≤±3%，片間≤±3%，批間≤±3%，

1.8氣源系統(tǒng)：進(jìn)口配件、自動(dòng)軌道焊接

1.9控制系統(tǒng)：整機(jī)控制系統(tǒng)采用工業(yè)控制計(jì)算機(jī)（WINDOWS系統(tǒng)，中文操作界面，方便簡(jiǎn)潔）

可選配置：
1.1工藝管數(shù)量：1～4管

1.2進(jìn)出舟模式：手動(dòng)送片/自動(dòng)送片（懸臂模式、軟著陸模式）

1.3控壓模式：MKS蝶閥控制模式和N2吹掃模式

1.4適用工藝：Poly、D-Poly、Si3N4、TEOS、PSG、SIPOS、LTO等